SK hynix разрабатывает память HBM3 со скоростью 896 ГБ/с


SK hynix разрабатывает память HBM3 со скоростью 896 ГБ/с
Южнокорейская компания в третий раз обновила спецификации своего HBM3, находящегося в стадии разработки.

В октябре прошлого года SK Hynix объявила, что у нее будет 12-слойная память HBM3 DRAM со скоростью 820 Гбайт/с. Почему это важно ?

HBM3 обеспечит двукратное увеличение пропускной способности и емкости на стек, а также некоторые другие преимущества. В некоторых случаях такие чипы могут быть использованы для кеша L4.

«Эти новые возможности обеспечат следующий уровень энергоэффективности с точки зрения джоулей на переданный бит»- сказал Алехандро Рико, главный инженер-исследователь в Arm.

UM v3.01 Деньги на диване, и нейронные сети совсем чуть чуть …